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  • STB18N60DM2

STB18N60DM2

  • 制造商:-
  • 现有数量:2,990现货
  • 价格:1 : ¥23.45000剪切带(CT)1,000 : ¥11.52640卷带(TR)
  • 系列:MDmesh? DM2
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)295 毫欧 @ 6A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 VVgs(最大值)±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)800 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)90W(Tc)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D2PAK(TO-263)
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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