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STB200NF04-1

描述MOSFET N-CH 40V 120A I2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 毫欧 @ 90A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs210nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 25V
功率 - 最大310W安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA供应商设备封装I2PAK
包装管件其它名称497-3512-5

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