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  • STB23NM60N

STB23NM60N

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 600V 19A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 9.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2050pF @ 50V
功率 - 最大150W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装Digi-Reel?其它名称497-7943-6

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