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  • STB25NM60ND

STB25NM60ND

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$7.59
  • 10$6.821
  • 25$6.2036
  • 100$5.6154
  • 250$5.145
描述MOSFET N-CH 600V 21A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 10.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 50V功率 - 最大160W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK包装Digi-Reel?
其它名称497-8473-6

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