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  • STB30NE06LT4

STB30NE06LT4

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.05 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体D2PAK
封装Reel下降时间20 ns
最小工作温度- 60 C功率耗散80 W
上升时间105 ns工厂包装数量1000
典型关闭延迟时间50 ns

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