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STB3NB60T4

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V

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产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp	漏极连续电流	3.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	3.3 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	D2PAK	封装	Reel
下降时间	13 ns	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	2 S
最小工作温度	- 65 C	功率耗散	80 W
上升时间	7 ns	工厂包装数量	1000

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