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STB4NB80

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：800 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V

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产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	MOSFET N-Ch 800 Volt 4 Amp	漏极连续电流	4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	3 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	D2PAK	封装	Tube
下降时间	9 ns	最小工作温度	- 65 C
功率耗散	100 W	上升时间	8 ns
工厂包装数量	50

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