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  • STB5NB80T4

STB5NB80T4

描述MOSFET N-CH 800V 5A电阻汲极/源极 RDS(导通)2.2 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体D2PAK
封装Reel下降时间14 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散110 W
上升时间9 ns工厂包装数量1000

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