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  • STB6N65K3

STB6N65K3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 650V DPAKFET 类型-
技术-漏源电压(Vdss)-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.4A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-Vgs(最大值)-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-FET 功能-
功率耗散(最大值)-工作温度-
安装类型-供应商器件封装-
封装/外壳-

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