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  • STB80NE06-10T4

STB80NE06-10T4

描述MOSFET N-CH 60V 80A电阻汲极/源极 RDS(导通)8.5 m Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体D2PAK
封装Reel下降时间75 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)38 S最小工作温度- 65 C
功率耗散150 W上升时间150 ns
工厂包装数量1000

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