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STB9NB50

描述MOSFET N-Ch 500 Volt 9 Amp漏极连续电流8.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.85 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Tube
下降时间11 ns最小工作温度- 60 C
功率耗散125 W上升时间11 ns
工厂包装数量50

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