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STD100NH02L

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
典型关断延迟时间：60 ns
典型接通延迟时间：15 ns
典型栅极电荷@Vgs：62 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds：3940 pF V @ 25
安装类型：表面贴装

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参考价格

数量单价
5RMB8.00
25RMB7.15

产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

宽度	6.2mm	封装类型	DPAK
尺寸	6.6 x 6.2 x 2.4mm	引脚数目	3
最低工作温度	-55 °C	最大功率耗散	100000 mW
最大栅源电压	±20 V	最大漏源电压	24 V
最大漏源电阻值	0.005	最大连续漏极电流	60 A
最高工作温度	+175 °C	每片芯片元件数目	1
类别	功率 MOSFET	通道模式	增强
通道类型	N	配置	单
长度	6.6mm	高度	2.4mm

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