| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 450 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 850pF @ 50V | 功率 - 最大 | 90W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 497-8477-6 |
合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有极低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆。 stw55nm60nd现在已开始量产。 ...
直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。 ...
直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。 来源:ks99 ...
合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 来源:ks99 ...
