| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3700pF @ 25V | 功率 - 最大 | 110W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 497-8889-6 |
，在产品设计中选用尺寸更小的无源器件，如电感和电容。 意法半导体新30v表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装，包括so-8、dpak、5×6mm powerflat、3.3×3.3mm powerflat、polarpak?、通孔ipak和sot23-6l，兼容现有的焊盘/引脚布局，同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的stripfet vi deepgate产品系列可以创造出最大的市场机遇。 首批采用新工艺的产品包括stl150n3llh6和std150n3llh6两款产品。stl150n3llh6采用5×6mm powerflat封装，单位面积导通电阻rds(on)达到市场最低水平；std150n3llh6采用dpak封装，导通电阻 rds(on)为2.4毫欧。 两款产品的样片都已上市，计划2009年6月开始量产。 ...
