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STD19NE06LT4

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：19 A

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产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	MOSFET	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.05 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 175 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	TO-252
封装	Reel	下降时间	20 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	70 W
上升时间	105 ns	工厂包装数量	2500
典型关闭延迟时间	50 ns

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