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  • STD1NB60T4

STD1NB60T4

描述MOSFET N-CH 600V 1A电阻汲极/源极 RDS(导通)8.5 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体DPAK
封装Reel下降时间32 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散45 W
上升时间15 ns工厂包装数量2500

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