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  • STD4N25-1

STD4N25-1

描述MOSFET DISC BY STM 4/01 TO-251 N-CH 250V 4A电阻汲极/源极 RDS(导通)1.1 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体IPAK
封装Tube下降时间20 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散50 W
上升时间60 ns工厂包装数量75

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