| 宽度 | 6.2mm | 封装类型 | DPAK |
|---|---|---|---|
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | 引脚数目 | 3 |
| 最低工作温度 | -55 °C | 最大功率耗散 | 60000 mW |
| 最大栅源电压 | ±18 V | 最大漏源电压 | 24 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.011 | 最大连续漏极电流 | 40 A |
| 最高工作温度 | +175 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | N | 配置 | 单 |
| 长度 | 6.6mm | 高度 | 2.4mm |
意法半导体日前推出多款基于stripfet技术的低压n沟道场效应mos晶体管。stripfet技术采用优化布局和最新工艺，提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性，并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率，主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括sts12nh3ll、stsj50nh3ll、std55nh2ll、std95nh02l、stl8nh3ll和stl50nh3ll。 其中，sts12nh3ll是一款30v器件，额定电流12a。stsj50nh3ll也是一款30v器件，额定电流50a。这两款产品在10v时典型通态电阻均是0.008ω，在4.5v时，通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。sts12nh3ll采用so-8封装，stsj50nh3ll采用powerso-8封装。 而std55nh2ll则是一款24v的器件，额定电流55a。10v时，典型通态电阻0.01ω，4.5v时为0.012ω。这款器件为高频直流-直流变换器而设计，它采用ipak (to-251)通孔封装和表面组装dpa ...
