描述 | MOSFET N-CH 950V 4A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 950V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3.5 欧姆 @ 2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 100?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 460pF @ 25V | 功率 - 最大 | 90W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | Digi-Reel? |
其它名称 | 497-10412-6 |
容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 ...
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容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 来源:风中的叶子 ...