| 描述 | MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 520V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.4A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 50?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 529pF @ 25V | 功率 - 最大 | 70W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | Digi-Reel? |
| 配用 | 497-8404-ND - BOARD EVAL L6390/STD5NK52ZD | 其它名称 | 497-5735-6 |
到p+区，即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能，研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置，反向恢复峰值电流irrm较小，完成恢复所需要的时间更短(见图3)。 图3：具有快速体二极管恢复特性mosfet，反向恢复峰值电流较小，恢复时间缩短我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间，开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下，壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中，mosfet内部的体二极管用作续流二极管，采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 图4：a) q2采用标准mosfet的开状态操作； b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet开状态操作supe ...
即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能，研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置，反向恢复峰值电流irrm较小，完成恢复所需要的时间更短(见图3)。 图3：具有快速体二极管恢复特性mosfet，反向恢复峰值电流较小，恢复时间缩短。 我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间，开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下，壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中，mosfet内部的体二极管用作续流二极管，采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 图4：a) q2采用标准mosfet的开状态操作； b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet开状态操作。 ...
极管d2被反向偏置， n区的少数载流子进入p+体区，反之亦然。这种快速转移导致大量的电流流经二极管，从n-epi到p+区，即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能，研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置，反向恢复峰值电流irrm较小。 我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间，开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下，壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中，mosfet内部的体二极管用作续流二极管，采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 superfredmesh技术弥补了现有的fdmesh技术，具有降低导通电阻，齐纳栅保护以及非常高的dv/dt性能，并采用了快速体- ...
