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  • STD6N65M2

STD6N65M2

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥11.21000剪切带(CT)2,500 : ¥4.75169卷带(TR)
  • 系列:MDmesh?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 650V 4A DPAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.35 欧姆 @ 2A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9.8 nC @ 10 VVgs(最大值)±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)226 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)60W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装DPAK
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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