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  • STD70R1K3S

STD70R1K3S

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  • 价格:5,000 : ¥2.22457散装
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
产品属性
描述DISCRETEFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.4欧姆 @ 1.75A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.75V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.1 nC @ 10 VVgs(最大值)±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)175 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)77W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-251(IPAK)
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

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