| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1850pF @ 25V | 功率 - 最大 | 70W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 497-7976-6 |
属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet™制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流—直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用dpak和ipa ...
mosfet（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用dpak和ipa ...
osfet（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用dpak和ipa ...
（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用st独有的最新版stripfet制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：fom = 导通电阻rds(on) x栅电荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30v（bvdss）器件。因为栅电荷量（qg）仅为8.8nc（纳库化），在10v电压时，导通电阻rds（on）为7.2毫欧，所以std60n3lh5是非隔离直流-直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10v电压时，导通电阻rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nc，因此std85n3lh5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用dpak和ipa ...
