| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.5 毫欧 @ 40A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 110W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 497-5106-6 |
意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应mos晶体管，该产品采用st最新优化的stripfet专利技术，实现了最低的导通电阻。 据介绍，std95n04是一个40v标准电平的dpak产品，最大导通电阻rds(on)6.5mω，专门为dc-dc转换器、电机控制、电磁阀驱动器和abs设计的。新产品的典型rds(on)在5mω区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。std95n04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的aec q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃，100%通过雪崩测试。 stripfet技术以密度大幅度提高的单元为基础，导通电阻和功耗比上一代技术更低，占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应mos晶体管。 ...
意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应mos晶体管，该产品采用st最新优化的stripfet专利技术，实现了最低的导通电阻。 std95n04是一个40v的标准电平的dpak产品，最大导通电阻rds(on)6.5mω，专门为dc-dc转换器、电机控制、电磁阀驱动器和abs设计的。新产品的典型rds(on)在5mω区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。std95n04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的aec q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ，100%通过雪崩测试。 stripfet技术以密度大幅度提高的单元为基础，导通电阻和功耗比上一代技术更低，占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应mos晶体管将采用相同的技术，以满足dpak和d2pak的需求。 采用dpak和to-220封装的std95n04现已投入量产。订购10,000件，单价0.38美元。 来源:小草 ...
