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STD9N10

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：100 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：9 A

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产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	MOSFET RO 511-STD10NF10 TO-252 N-CH 100V 9A	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.23 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 175 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	DPAK
封装	Tube	下降时间	25 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	4 S	最小工作温度	- 65 C
功率耗散	45 W	上升时间	40 ns
工厂包装数量	75

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