| 描述 | MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 50A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 504nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 7900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 500W | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ISOTOP | 供应商设备封装 | ISOTOP? |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-2657-5 |
场效应晶体管ste110ns20fd、sfe180ne10、ste250ns10内部电路如下图所示： 来源:lover ...
