| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 850pF @ 50V | 功率 - 最大 | 25W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装 | TO-220FP | 包装 | 管件 |
近期，晶体管stf12nm50nd活跃于各大ic市场，网站搜索率也相对较高。所报参考价为8元/ pcs--15元/pcs。 基本参数： 型号：stf12nm50nd 类型：晶体管 厂家：stmicroelectronics (st) 系列 ：fdmesh? fet型 ：mosfet n通道，金属氧化物 fet特点 ：标准型 开态rds（最大）@ id, vgs @25° c：380毫欧@5.5a, 10v 漏极至源极电压(vdss)：500v 电流-连续漏极(id) @25° c：11a id时的vgs(th)（最大） ：5v @ 250μa 闸电荷(qg) @ vgs：30nc @ 10v 在vds时的输入电容(ciss)：850pf @ 50v 功率-最大 ：25w 安装类型 ：通孔 封装/外壳 ：to-220fp 包装 ：管件 ...
