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  • STF7N95K3

STF7N95K3

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$8.4
  • 10$7.56
  • 25$6.888
  • 100$6.216
  • 250$5.712
描述MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FPFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)950V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.2A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.35 欧姆 @ 3.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100?A闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1031pF @ 100V功率 - 最大25W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包
供应商设备封装TO-220FP包装管件
其它名称497-12588-5STF7N95K3-ND

“STF7N95K3”电子资讯

  • ST推出全新系列功率MOSFET晶体管现已投产

    3系列还实现了导通损耗最小化,导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员可以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 ...

  • 意法半导体创新高压晶体管技术协助开发更可靠的高能效电源

    系列还实现了导通损耗最小化,导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员可以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 ...

  • 意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管

    rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员可 以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3™技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 ...

“STF7N95K3”技术资料

  • ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器

    现了导通损耗最小化,导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员 可以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 来源:风中的叶子 ...

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