| 描述 | IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2 | 配置 | 三相反相器 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V | Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.5V @ 15V，7A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 19A | 电流 - 集电极截止（最大） | 10?A |
| Vce 时的输入电容 (Cies) | 0.72nF @ 25V | 功率 - 最大 | 56W |
| 输入 | 单相桥式整流器 | NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SEMITOP?2 |
| 供应商设备封装 | SEMITOP?2 | 配用 | 497-8401-ND - KIT IGBT PWR MODULE SEMITOP2497-5512-ND - BOARD EVAL BASED ON SEMITOP 2 |
| 其它名称 | 497-5216 |
场效应晶体管stg3p2m10n60b内部电路如下图所示： 来源:lover ...
