描述 | POWER TRANSISTORS | IGBT 类型 | - |
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电压 - 集射极击穿(最大值) | 450 V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 25 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 50 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) | 1.25V @ 4V,6A |
功率 - 最大值 | 150 W | 开关能量 | - |
输入类型 | 逻辑 | 栅极电荷 | 26 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 1.1μs/4.6μs | 测试条件 | 300V,10A,1 千欧,5V |
反向恢复时间 (trr) | - | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK(TO-263) |
【STMicroelectronics】STGB20NB32LZ,IGBT N-CH CLAMP 2V 20A I2PAK
【STMicroelectronics】STGB20NB32LZT4,IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
【STMicroelectronics】STGB20NB37LZ,IGBT N-CH CLAMPED 20A D2PAK
【STMicroelectronics】STGB20NB37LZT4,IGBT N-CH CLAMPED 20A D2PAK
【STMicroelectronics】STGB20NB41LZT4,IGBT N-CHAN 40A CLAMP D2PAK