| 描述 | POWER TRANSISTORS | IGBT 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 435 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 50 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 1.25V @ 4V，6A |
| 功率 - 最大值 | 125 W | 开关能量 | - |
| 输入类型 | 逻辑 | 栅极电荷 | 26 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 1.1μs/4.6μs | 测试条件 | 300V，10A，1 千欧，5V |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-PAK（TO-252） |
