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STGP20NB60H

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.3 V
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V

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产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 20 Amp	栅极—射极漏泄电流	100 nA
功率耗散	125 W	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	TO-220-3	封装	Tube
集电极最大连续电流 Ic	40 A	最小工作温度	- 65 C
安装风格	Through Hole	工厂包装数量	50

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