| 描述 | IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 16 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，4A |
| 功率 - 最大值 | 68 W | 开关能量 | 40μJ（开），136μJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 15.2 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 12ns/86ns | 测试条件 | 400V，4A，47 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 133 ns | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
