| 描述 | DISCRETE | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 216 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 700 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.05V @ 15V，200A |
| 功率 - 最大值 | 714 W | 开关能量 | 3.82mJ（开），6.97mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 554 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 122ns/250ns | 测试条件 | 400V，200A，4.7 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 174.5 ns | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 9-PowerSMD |
| 供应商器件封装 | 9-ACEPACK SMIT |
