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STH8NB90FI

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：900 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V
漏极连续电流：5 A

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产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	MOSFET	电阻汲极/源极 RDS（导通）	1.1 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	ISOWATT 218
封装	Tube	下降时间	15 ns
最小工作温度	- 65 C	功率耗散	80 W
上升时间	12 ns	工厂包装数量	30

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