| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK-3 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 5.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 43.6nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK（TO-262） |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-13106-5 |
