您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > sti15nm60nd
  • STI15NM60ND

STI15NM60ND

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 600V 14A I2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 7A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 50V
功率 - 最大125W安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA供应商设备封装I2PAK
包装管件

sti15nm60nd的相关型号: