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  • STI25NM60ND

STI25NM60ND

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 600V 21A I2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 10.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 50V
功率 - 最大160W安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA供应商设备封装I2PAK
包装管件

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