描述 | MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 900 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.1 欧姆 @ 3A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I2PAK |
封装/外壳 | TO-262-3 整包,I2Pak |