STK850

意法半导体(st)日前发布首款以顶部金属polarpak封装的功率器件：stk800、stk850，增强了热量性能、提升了大电流电源使用组件的功率密度。新器件分别为20a/30a功率mosfet，以标准so-8封装，仅需要5mm×6mm板空间，因顶部与底部的热耗散通道其高度仅为0.8mm。 2005年3月，st与siliconix就使用polarpak技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率mosfet封装，确保了良好的裸片保护与制造的易处理。与标准so-8相比, polarpak 的热耗散非常有效，它能在相同的占位面积内处理两倍电流。 新器件以st所有的最新stripfet技术制造，该技术基于提升的单元密度与更小的单元特性，占用了更小的芯片空间，同时实现极低的片上阻抗与损耗。10v时，20a stk800典型的rds(on) 值为6.0mohm，30a stk850的rds(on)值为2.9mohm。该封装通过提供超低的结到外壳热量阻抗与更低的结温确保两个mosfet的低片上阻抗特性。 低电容与总门电荷数，使stk800成为非绝缘dc/dc压降转 ...

意法半导体(st)发布首款以顶部金属polarpak封装的功率器件：stk800、stk850，增强了热量性能、提升了大电流电源使用组件的功率密度。新器件分别为20a/30a功率mosfet，以标准so-8封装，仅需要5mm×6mm板空间，因顶部与底部的热耗散通道其高度仅为0.8mm。 st与siliconix就使用polarpak技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率mosfet封装，确保了良好的裸片保护与制造的易处理。与标准so-8相比, polarpak的热耗散非常有效，它能在相同的占位面积内处理两倍电流。 新器件以st所有的最新stripfet技术制造，该技术基于提升的单元密度与更小的单元特性，占用了更小的芯片空间，同时实现极低的片上阻抗与损耗。10v时，20a stk800典型的rds(on) 值为6.0mohm，30a stk850的rds(on)值为2.9mohm。该封装通过提供超低的结到外壳热量阻抗与更低的结温确保两个mosfet的低片上阻抗特性。 低电容与总门电荷数，使stk800成为非绝缘dc/dc压降转换器中控制fet的 ...

意法半导体（stmicroelectronics） 今天推出了该公司第一批采用顶置金属片的polarpak® 封装的功率ic，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的stk800和stk850分别是20a和30a的功率场效应mos晶体管，占板面积与so-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。 st和siliconix公司于2005年3月签订一项使用polarpak®技术的许可协议。新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应mos晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护功能，在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的so-8封装相比，polarpak的散热效率更加出色，在相同的占板面积下，比so-8封装处理的电流高一倍。. 新器件采用st最新优化的stripfet™制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和功耗，这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10v时，20a stk800的典型rds(on) 是6.0毫欧，30a stk85 ...

意法半导体推出了该公司第一批采用顶置金属片的polarpak 封装的功率ic，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的stk800和stk850分别是20a和30a的功率场效应mos晶体管，占板面积与so-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。 新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应mos晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护功能，在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的so-8封装相比，polarpak的散热效率更加出色，在相同的占板面积下，比so-8封装处理的电流高一倍。 新器件采用st最新优化的stripfet制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和功耗，这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10v时，20a stk800的典型rds(on) 是6.0毫欧，30a stk850是2.9毫欧。结到外壳热阻极低和结温较低的特性是降低两款mosfet的通态电阻的主要因素。 电容低和栅电荷总量低使stk800成为非隔离型直流-直流降压转换 ...