| 描述 | MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6 | 系列 | STripFET? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.4 毫欧 @ 16.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4040pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 80W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 供应商设备封装 | PowerFlat?（6x5） |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 497-10419-6 |
设计人员可以使用高开关频率，在产品设计中选用尺寸更小的无源器件，如电感和电容。 意法半导体新30v表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装，包括so-8、dpak、5×6mm powerflat、3.3×3.3mm powerflat、polarpak?、通孔ipak和sot23-6l，兼容现有的焊盘/引脚布局，同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的stripfet vi deepgate产品系列可以创造出最大的市场机遇。 首批采用新工艺的产品包括stl150n3llh6和std150n3llh6两款产品。stl150n3llh6采用5×6mm powerflat封装，单位面积导通电阻rds(on)达到市场最低水平；std150n3llh6采用dpak封装，导通电阻 rds(on)为2.4毫欧。 两款产品的样片都已上市，计划2009年6月开始量产。 ...
