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  • STL18N65M2

STL18N65M2

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  • 价格:1 : ¥22.18000剪切带(CT)3,000 : ¥10.14548卷带(TR)
  • 系列:MDmesh? M2
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HVFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)365 毫欧 @ 4A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)21.5 nC @ 10 VVgs(最大值)±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)764 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)57W(Tc)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerFlat?(5x6)HV
封装/外壳8-PowerVDFN

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