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  • STL50NH3LL

STL50NH3LL

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.46
  • 10$1.286
  • 25$1.1612
  • 100$1.0161
  • 250$0.89108
描述MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 6.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds965pF @ 25V
功率 - 最大4W安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVDFN供应商设备封装PowerFlat?(6x5)
包装Digi-Reel?其它名称497-4114-6

“STL50NH3LL”技术资料

  • ST推出系列基于STripFET技术的低压场效应MOSFET

    意法半导体日前推出多款基于stripfet技术的低压n沟道场效应mos晶体管。stripfet技术采用优化布局和最新工艺,提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性,并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率,主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括sts12nh3ll、stsj50nh3ll、std55nh2ll、std95nh02l、stl8nh3ll和stl50nh3ll。 其中,sts12nh3ll是一款30v器件,额定电流12a。stsj50nh3ll也是一款30v器件,额定电流50a。这两款产品在10v时典型通态电阻均是0.008ω,在4.5v时,通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。sts12nh3ll采用so-8封装,stsj50nh3ll采用powerso-8封装。 而std55nh2ll则是一款24v的器件,额定电流55a。10v时,典型通态电阻0.01ω,4.5v时为0.012ω。这款器件为高频直流-直流变换器而设计,它采用ipak (to-251)通孔封装和表面组装dpa ...

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