描述 | MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 27A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 6.5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 965pF @ 25V |
功率 - 最大 | 4W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 供应商设备封装 | PowerFlat?(6x5) |
包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 497-4114-6 |
意法半导体日前推出多款基于stripfet技术的低压n沟道场效应mos晶体管。stripfet技术采用优化布局和最新工艺,提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性,并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率,主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括sts12nh3ll、stsj50nh3ll、std55nh2ll、std95nh02l、stl8nh3ll和stl50nh3ll。 其中,sts12nh3ll是一款30v器件,额定电流12a。stsj50nh3ll也是一款30v器件,额定电流50a。这两款产品在10v时典型通态电阻均是0.008ω,在4.5v时,通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。sts12nh3ll采用so-8封装,stsj50nh3ll采用powerso-8封装。 而std55nh2ll则是一款24v的器件,额定电流55a。10v时,典型通态电阻0.01ω,4.5v时为0.012ω。这款器件为高频直流-直流变换器而设计,它采用ipak (to-251)通孔封装和表面组装dpa ...