| 描述 | DISCRETE | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 毫欧 @ 60A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 66.5 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5400 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 158W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerFlat?（5x6）双面 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
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