| 描述 | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | 功率 - 最大 | 3.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 | 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 497-10779-6 |
