| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 450 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V | 功率 - 最大 | 160W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 497-2773-5 |
os 管的损耗， 包括导通损耗和开关损耗。2） 二次侧整流二极管的损耗。3） 高频变压器的损耗， 主要包括铁损、铜损及漏感造成的损耗。为提高电源的效率， 主要需从这三个方面采取措施， 减小损耗。 2.2 控制方式及零电压开通设计 本设计中， 采用st 公司的l6562 作为主控芯片， l6562 是一款经济型功率因数校正控制器。反激式电源工作在不连续导电模式（dcm） , 通过前端emi 滤波器自动实现高的功率因数。 为减小初级mos 管损耗， 我们选用st 公司的mos 管stp11nm60 , 导通电阻0145 ω , 可以有效减少导通损耗， 并采用准谐振技术， 实现对mos 管的零电压开通， 可以最大限度地减小开关损耗。 自从20 世纪70 年代以来， 软开关得到了充分发展， 准谐振技术也有了成熟的应用。l6562 本身就具有零电压开通检测管脚， 可以较为方便地实现当mos 管漏极电压降到谷底时将其开通。 具体设计如图1 所示， 其中， t1 为变压器的一次侧绕组， t2 为辅助绕组。1） t0 ～ t1 时段， mos 管m1 开通， 整流输出电压uc 流经变压器 ...
