| 描述 | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 100?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 25V | 功率 - 最大 | 35W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装 | TO-220FP | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 497-12607-5STP14NK50ZFP-ND |
) 列表来表示， b)电压产生器 vpulse，c) 一种激励电压产生器。芯片温度增高的平均值 ∆tj-c(t)决定於pave(t)，再乘上zth(t)。 因此tj-c(t) 可以用下式表示： tj-c(t)= pave(t) •zth(t).+tcase (4.4) 其中tcase 取等於环境温度。 5. 模拟仿真结果及测量结果 在栅极驱动信号为不同类型的情况下进行了模拟仿真。下面图中的曲线是模拟仿真的结果。这些模拟仿真的结果是用新的supermeshtm stp14nk50zfp 高电压mosfet测量得到的，mosfet是装在绝缘的外壳中。 这种mosfet器件是用本公司专有的mesh overlaytm 技术的经过优化而制造的产品。 在很宽的温度范围上进行了测量，测量结果如图7示。 图 2 不同温度tj时的输出特性曲线(实测结果) 图 3 在不同的tj时的输出性曲线(模拟结果) 图 4 电路图 图 5 在10v时的rds(on) (模拟结果) 图 6 在10v时的rds(on) (实测结 ...
