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STP19NB20

描述MOSFET N-CH 200V 19A TO-220FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 9.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 25V
功率 - 最大125W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB
包装管件其它名称497-2650-5

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