| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 160 毫欧 @ 10.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 84nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 160W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-5020-5 |
上一代产品降低多达40%，而且没有牺牲对其温度关系的严格控制。同时，通过对栅极指和覆盖式水平源极条氧化层的优化，确保内部栅电阻和固有电容都得到精确的控制。 除通态功耗大幅度降低外，新器件的开关功耗也很低。因栅极内部电阻得到控制，时间延迟缩短，从而使开关速度更快，达到新的高效开关电源的设计需求。此外，由于栅极固有电容被严格控制，交叉时间缩短和栅电荷减少得到保证，通过更加简单和更加低廉的栅极驱动电路，可以大幅度提高开关电源的效率。例如，在一个基于l4981的300w功率因数校正器上进行测试时，新产品stp25nm60n在230vac时的效率高达98%，输出功率达到250w。新的mdmesh mosfet系列产品可在高工作频率下提高效率，而且温度较低，所以，允许使用尺寸更小的磁器件和散热器，从而达到大幅降低设备尺寸的目的。 第二代mdmesh技术的另一个优点是，驱动器件的电压vgs变得更低，而电流处理能力变得更高。vgs电压范围被修改，驱动功能得到优化，噪声抑制能力增强，阈压范围保持不变。而且，新一代mdmesh技术支持更严格的rds (on)通态电阻要求。 首批上市的新产品系列包括分别采用to-247、to- ...
