| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 22 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 770pF @ 25V | 功率 - 最大 | 70W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | 497-3187-5 |
这个电路的稳态过程，瞬态过程进行了详细的分析,考虑到电路的具体参数以及电路的损耗，电流驱动电路的匝数比可以由式（4）～式（6）决定： vg(on) =vo（4） d ≤（5） =（6） 式中：vg(on)为sr的栅极驱动电压； n1～n4为对应线圈的匝数； vfd1为二极管d1的正向导通压降； vth为sr的栅极门槛电压； vfbd为sr的体二极管正向导通压降。 4实验结果 设计了一个开关频率为100khz的反激电路，其输入电压为40～60v，输出电压5v，输出电流2.5a。同步整流管采用stp40nf03l，电压30v，电流40a，导通电阻<0.022ω，栅极电容约为750pf。电流驱动变压器的匝数比为2:58:29:25(n1～n4)。图5为实验波形。图5(a)是输入电压为40v时原边开关的漏源极电压和流过开关的电流波形。图5(b)是输入电压为40v时sr的驱动电压和流过sr的电流波形。图5(c)和图5(d)是输入电压为60v时相应的波形。 5结语 同步整流在反激电路中的应用虽然不多，但是当输出电流不大时，反激电路还是一个不错的选择。同时，采用能量反馈驱动电路来控制反激同步整流管，提高了电 ...
